193nm的干式DUV光刻机对阿斯麦来说，并不是多高大上的技术。

早在上个世纪90年代，他们就整了出来。

随后因为一个林姓的华裔研究出了浸没式技术。

其加入了台鸡电，在让台鸡电快速扩张的同时，也让阿斯麦成为了行业中的领头者。

在泥康这些日企苦苦研究干式光刻机的时候，他们的浸润式光刻技术，让阿斯麦一举成为了领先。

时至今天，阿斯麦已经研制了EUV光刻机，行业领先地位，再难撼动。

但是否意味着阿斯麦永远不会衰落呢？

并不是这样。

技术的突破，甚至是技术的更新，带来技术弯道超车，都可能让一个原本领先的技术公司，再次落后。

江奕辰就坚定地这么认为。

也不断地开展各类延伸性研究。

特别是自己的个人实验室，并不是江奕辰在主要研究光刻技术的时候，他们就闲着。

相反，江奕辰也给了不少的研究课题，让孙阳、罗钰牵头开展。

只要他们研究出来的技术，都进入江奕辰奕辰集团的技术鱼池。

一旦哪个技术获得应用，那么他们这些人也将会有巨大的技术分红。

如今大的技术不说，但江奕辰将一种电致发光材料交给他们研究之后，还真让他们整了新的东西。

不过江奕辰现在没有理会。

新光刻技术正在实验。

张成研究的高分子溶液暂时失败，找的数十个材料，虽然取得了一定效果，但却因为各种原因，没有办法采用。

唯独好一点的，制备纯度极高的溶液难度大不说，成本也高，还容易侵蚀衬底，让光刻的效果消散。

最后江奕辰把重点放在了孔连华的研究上。

孔连华研究的是一种特制的晶体。

在第一阶段研究的过程中，孔连华在江奕辰的提醒下就制备了超过10种的符合折光率条件的晶体。

全部超过超纯水的折光率。

其中最好的一种晶体，可以让光的波长，从193nm缩减到90nm。

这意味着可以轻易地制备14nm的芯片。

因为光的波长是横向尺寸，把光比作弯曲的钻头，弯曲成正弦波样子，那么弯曲一个来回，钻头的长就是波长。

用这个钻头来打孔，就会晃动，这是光波的打在被爆光的面上的精细程度。

如果采用多重曝光、鳍式场效应晶体管FinFET技术，突破到7nn，甚至5nm估计也不成问题。

只是这种晶体的缺点也较多，特别是高温形变问题是难点中的难点。

光刻，是光在晶圆上进行雕刻，

光不断地冲击，会让晶圆发热。

在晶圆上面再加一个晶体，比增加一个透镜的难度要大得多。

最后选定的，是镓镁晶体。

这种晶体，在特殊的技术处理之后，能够适应较高的温度，高温形变上能够有效改善。

当然，这种也只是改善，并不能完全解决。

“江总，我们的专家们厉害，把这个系统破解了，增加了一道非接触式光刻系统。”孔连华解释道，“就是咱们这么一搞，出问题后要阿斯麦的工程师来修就不可能的事了。”

不仅不能让人来修，还不能让人知道。

江奕辰并没有直接回复，而是看着一片测试晶圆的情况。

“检测结果，28nm工艺。”

就这么一个测试，就达到了28nm工艺的极限。

显而易见，镓镁晶体给193nm的光刻机带来了巨大的质变。